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Si1072X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
0.20
I D = 1.3 A
0.16
1
T A = 125 °C
0.12
0.1
0.01
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.04
T A = 25 °C
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
0.00
0
2
4
6
8
10
2.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
5.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
2.4
I D = 250 μ A
4.0
2.2
3.0
2.0
2.0
1. 8
1.6
1.0
1.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
0.001
BVDSS Limited
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
Time (s)
Single Pulse Power
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73892
S10-2542-Rev. E, 08-Nov-10
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